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臺積電建構(gòu)全球?qū)@麘?zhàn)略版圖,半導(dǎo)體相關(guān)專利數(shù)量僅次于三星

全球前20大半導(dǎo)體制造廠中,臺積電在專利強(qiáng)度位居第一,專利數(shù)量則居第二,僅次于三星。

據(jù)臺灣“中央社”26日消息,臺積電智慧財(cái)產(chǎn)處專利管理部副處長王志華今天(26日)表示,臺積電正積極建構(gòu)全球?qū)@麘?zhàn)略版圖。他透露,臺積電在關(guān)鍵技術(shù)專利會提前布局,在技術(shù)推出給客戶前的7至8年便會開始部署,如16奈米的鰭式場效電晶體(FinFET),且不會只是點(diǎn)狀申請,會增強(qiáng)專利的豐富性。

王志華指出,全球前20大半導(dǎo)體制造廠中,臺積電在專利強(qiáng)度位居第一,專利數(shù)量則居第二,僅次于三星。在先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)方面,臺積電的專利質(zhì)與量都高居全球第一。

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